Wetenschappers in de Verenigde Staten zijn erin geslaagd geleidende banen te schrijven in grafeenoxide. Door met de hete punt van een atoomkrachtmicroscoop over de toplaag te bewegen, komt een smalle baan puur grafeen vrij, die zeer goed stroom geleidt.
Het uitgangspunt van het team van het Georgia Institute of Technology, de University of Illinois en het US Naval Research Laboratory is een dunne laag grafeenoxide, dat geen stroom geleidt. De onderzoekers trekken een microscooppunt met een temperatuur tussen 150 en 1060 °C over het oppervlak, waardoor zuurstofatomen ter plaatse loslaten. Wat overblijft, is een baan bijna puur grafeen, die zo’n tienduizend keer beter stroom geleidt dan zijn omgeving. Op deze manier maakt het team banen van slechts 12 nm breed. Hoe heter de punt, hoe hoger de schrijfsnelheid kan zijn, met vooralsnog een maximum van 0,1 mm/s.
Bestaande technieken voor het maken van smalle stroken grafeen zijn gebaseerd op lithografie, natte processen met chemische oplossingen of het openritsen van koolstofnanobuizen. Het nieuwe proces heeft als grote voordeel dat het maar uit één stap bestaat. De techniek is in potentie snel: wanneer duizenden microscooppunten naast elkaar worden gezet, zijn tegelijk vele geleidende schakelingen te produceren.
De vinding kan leiden tot op koolstof gebaseerde elektronische componenten die sneller werken dan vergelijkbare exemplaren op basis van silicium. In een volgend project proberen de onderzoekers met hun methode een transistor te maken.
Bron: www.veenmagazines.nl